CN119644665A 光掩膜版图形的设计方法、光掩膜版及其制作方法 （北京超弦存储器研究院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119644665A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202311188962.X

(22)申请日2023.09.15

(71)申请人北京超弦存储器研究院

地址100176北京市大兴区经济技术开发

区科创十街18号院11号楼四层401室

(72)发明人刘蕊华李福

(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限

公司44224

专利代理师史治法

(51)Int.Cl.

G03F1/36(2012.01)

权利要求书1页说明书8页附图5页

(54)发明名称

光掩膜版图形的设计方法、光掩膜版及其制

作方法

(57)摘要

CN119644665A本申请涉及一种光掩膜版图形的设计方法、光掩膜版及其制作方法。该方法包括：设计主图形，主图形的延伸方向与第一方向斜交；形成覆盖层，覆盖层覆盖主图形，覆盖层具有沿第一方向延伸的第一边缘；基于第一边缘生成辅助图形，辅助图形位于第一边缘的外侧，与第一边缘具有间距；将主图形与辅助图形输出，以得到光掩膜版图形。本申请提供的方法可以有效提高光掩膜版图形的形成精度，以及可以简化光掩膜版

CN119644665A

CN119644665A权利要求书