CN119650390A 一种碳化硅聚焦环及其制备方法 （深圳市云在上半导体材料有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119650390A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202510168727.9

(22)申请日2025.02.17

(71)申请人深圳市云在上半导体材料有限公司

地址518106广东省深圳市光明区马田街

道新庄社区大围平塘A5栋202申请人湖北云在上半导体有限公司

(72)发明人张桂华刘畅

(74)专利代理机构北京智专天权知识产权代理

有限公司16248

专利代理师苏利

(51)Int.Cl.

H01J37/21(2006.01)

H01J37/32(2006.01)

H01J9/00(2006.01)

C30B29/36(2006.01)

C30B29/06(2006.01)

C30B33/02(2006.01)

C23C14/06(2006.01)

C23C14/08(2006.01)

C23C14/58(2006.01)

权利要求书1页说明书7页附图3页

(54)发明名称

一种碳化硅聚焦环及其制备方法

(57)摘要

CN119650390A一种碳化硅聚焦环及其制备方法，属于聚焦环技术领域。所述碳化硅聚焦环用于对进行等离子体处理的晶圆片进行载置，包括：内环，包括两个分割半环，两个分割半环之间通过拼接结