CN119649878A 存储系统的操作方法、存储器的数据读取方法和存储系统 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119649878A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202311199368.0

(22)申请日2023.09.15

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430000湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人赵向南

(74)专利代理机构北京中博世达专利商标代理

有限公司11274

专利代理师申健

(51)Int.Cl.

G11C16/26(2006.01)

G11C16/30(2006.01)

G11C16/08(2006.01)

G11C16/34(2006.01)

权利要求书3页说明书13页附图4页

(54)发明名称

存储系统的操作方法、存储器的数据读取方

法和存储系统

(57)摘要

CN119649878A本公开提供存储系统的操作方法、存储器的数据读取方法和存储系统，涉及存储领域，解决了由于存储单元的阈值电压偏移，导致NANDflash存储器的读取重试率增加，读取性能下降的问题。具体方案为：提供一种存储系统的操作方法，该方法包括：首先，根据N个字线的数量N和偏移电压信息，确定N个字线中的选中字线对应的偏移电压值，N个字线为存储器的存储块Block中相邻设置的字线，且与N个字线耦合的K个存储单元中存储