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第三章单极型半导体器件;绝缘栅场效应晶体管

（金属-绝缘体-半导体场效应晶体管）

（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）

（IGFET：MISFET，MOSFET）：表面场效应晶体管。

基本结构

金属-半导体结构（M-S结构）。

金属–氧化物–半导体结构（MOS结构）。;3.1金属–半导体接触;

半导体功函数为：（3-2）

因此，与掺杂情况有关。

电子亲和能：

半导体导带底电子逸出到真空中所需的最小能量。

（3-3）

式中称为电子亲和势，与掺杂无关，仅由材料决定。

空间电荷区;能带结构（Al-n-Si）

;能带弯曲，形成势垒。;势垒

阻挡层（肖特基势垒）：对多子其阻挡作用（电阻高）

反阻挡层（肖特基势阱）：对多子起“反”阻挡作用（电阻低)

由式（2-32）得出，肖特基势垒宽度为：