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InGaN/GaN多量子阱发光二极管：特性剖析与优化策略探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，半导体发光器件在众多领域发挥着至关重要的作用。InGaN/GaN多量子阱发光二极管（LED）作为第三代半导体发光器件的杰出代表，凭借其独特的优势，在照明、显示、光通信等领域展现出了巨大的应用潜力，成为了研究的热点。

在照明领域，随着全球对节能环保的关注度不断提高，高效、节能的照明光源成为了市场的迫切需求。InGaN/GaN多量子阱LED以其高光效、长寿命、低能耗等显著特点，成为了传统照明光源的理想替代品。与传统的白炽灯、荧光灯相比，LED照明灯具能够大幅降低能源消