- 1
- 0
- 约14.27万字
- 约 28页
- 2026-06-10 发布于北京
- 举报
HUFA75639G3,HUFA75639P3,HUFA75639S3S
数据表2001年12月
56A,100V,0.025欧姆,N通道UltraFET特性
功率MOSFET•56A,100V
这些N通道功率MOSFET使用创•仿真模型‑温度补偿的PSPICE®和SABERTM电气模
新的UltraFET®工艺制造。这种型‑SPICE和SABER热阻抗模型‑
先进的工艺技术
实现了每单位硅面积最低的导通电阻,从而达到卓越的性能。
该器件能够在雪崩模式下承受高能量,二极管具有非常低的
•峰值电流与脉冲宽度曲线
反向恢复时间和电荷。它专为需要高能效的应用设计
原创力文档

文档评论(0)