CN119688756A 一种超导量子芯片及其处理方法、表面氢键的检测方法 （本源量子计算科技（合肥）股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119688756A

(43)申请公布日2025.03.25

(21)申请号202311228901.1

(22)申请日2023.09.22

(71)申请人本源量子计算科技（合肥）股份有限公司

地址230088安徽省合肥市高新区创新大

道2800号创新产业园二期E2楼六层

(72)发明人请求不公布姓名请求不公布姓名请求不公布姓名张辉

(74)专利代理机构北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)11413

专利代理师刘继富王春伟

(51)Int.Cl.

G01N23/2251(2018.01)

C23C16/26(2006.01)

C23C16/50(2006.01)

H10N60/01(2023.01)

H10N60/12(2023.01)

H10N60/80(2023.01)

G06N10/40(2022.01)

G01N23/02(2006.01)

G01N23/20(2018.01)

权利要求书1页说明书5页

(54)发明名称

一种超导量子芯片及其处理方法、表面氢键

的检测方法

(57)摘要

CN119688756A本申请提供了一种超导量子芯片表面氢键的检测方法，包括：使用球差扫描透射电镜的TEM模式对目标超导器件进行