CN119694912A 一种芯片级GaAs刻蚀温度控制方法 （广东先导院科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119694912A

(43)申请公布日2025.03.25

(21)申请号202411231500.6

(22)申请日2024.09.04

(71)申请人广东先导院科技有限公司

地址510000广东省广州市黄埔区开源大

道11号B3栋301室

申请人陕西光电子先导院科技有限公司

(72)发明人付鹏杨军红

(74)专利代理机构深圳中创智财知识产权代理

有限公司44553

专利代理师王璐

(51)Int.Cl.

H01L21/66(2006.01)

H01L21/306(2006.01)

G05D23/20(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图2页

(54)发明名称

一种芯片级GaAs刻蚀温度控制方法

(57)摘要

CN119694912A本发明公开了一种芯片级GaAs刻蚀温度控制方法，包括：实时检测刻蚀过程中GaAs晶圆上表面温度，得到第一温度数据；根据静电卡盘内部的分区结构及第一温度数据，确定待调节静电卡盘分区以及确定待调节静电卡盘分区对应所承载GaAs晶圆上表面的第二温度。基于第二温度数据和目标温度，通过分区温度PID控制模块对待调节静电卡盘分区的加热单元进行功率调整，将第二温度数据调整到目标温度。本发明利用分区温度PID控制模块根据实时获取