CN119753584A 一种利用分子束外延生长技术制备高质量一维铁锑纳米线的方法与应用 （大连理工大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119753584A

(43)申请公布日2025.04.04

(21)申请号202510265253.X

(22)申请日2025.03.07

(71)申请人大连理工大学

地址116024辽宁省大连市高新园区凌工

路2号

(72)发明人张慧敏蔡永青武梓轩刘云龙赵纪军

(74)专利代理机构大连东方专利代理有限责任

公司21212

专利代理师周媛媛李馨

(51)Int.Cl.

C23C14/24(2006.01)

C23C14/50(2006.01)

C23C14/14(2006.01)

C30B29/52(2006.01)

C30B23/02(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图4页

(54)发明名称

一种利用分子束外延生长技术制备高质量

一维铁锑纳米线的方法与应用

(57)摘要

CN119753584A本发明公开了一种利用分子束外延生长技术制备高质量一维铁锑纳米线的方法与应用，属于半导体材料技术领域。该方法以钛酸锶单晶作为衬底，在超高真空条件下对衬底预处理，直至其表面形成规则台阶；随后利用铁源和锑源作为蒸发源，结合超高真空环境和精准的温度控制，通过分子束外延生长技术在经过预处理的衬底上制备出高质量的一维铁锑纳米线。制备得到的