GBT 47239.9-2026 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第9部分：一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元性能测试方法标准立项发展报告.docxVIP

标题：GB/T47239.9-2026半导体器件柔性可拉伸半导体器件第9部分：一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元性能测试方法标准立项发展报告

EnglishTitle:StandardizationDevelopmentReport:Semiconductordevices—Flexibleandstretchablesemiconductordevices—Part9:Performancetestingmethodsofonetransistorandoneresistor(1T1R)resistivememorycells

摘要

本报告围绕国家标准GB/T47239.9-2026《半导体器件柔性可拉伸半导体器件第9部分：一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元性能测试方法》的立项与发展历程展开深入探讨。该标准由国家标准化管理委员会批准发布，旨在规范柔性可拉伸半导体器件中核心存储单元——1T1R（一晶体管一电阻式）电阻存储单元的性能测试方法。随着物联网、可穿戴电子设备及柔性显示的快速发展，柔性非易失性存储器，特别是基于阻变机制（RRAM）的存储技术，因其结构简单、功耗低、与CMOS工艺兼容等优势，成为研究与应用的热点。然而，由于柔性基底的引入导致器件力学性能与电学性能的耦合，传统的刚性测试方法已无法满足其可靠性