CN119799432A 一种半导体清洗液、制备方法与半导体结构的清洗方法 (合肥晶合集成电路股份有限公司).docxVIP

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  • 2026-06-27 发布于山西
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CN119799432A 一种半导体清洗液、制备方法与半导体结构的清洗方法 (合肥晶合集成电路股份有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119799432A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202510294266.X

(22)申请日2025.03.13

(71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

地址230012安徽省合肥市新站区合肥综

合保税区内西淝河路88号

(72)发明人李政杨昱霖曹平

(74)专利代理机构上海汉之律师事务所31378专利代理师胡雨

(51)Int.Cl.

C11D7/32(2006.01)

C11D7/08(2006.01)

C11D7/06(2006.01)

C11D7/26(2006.01)

C11D7/24(2006.01)

C11D7/50(2006.01)

H01L21/02(2006.01)

权利要求书1页说明书7页附图3页

(54)发明名称

一种半导体清洗液、制备方法与半导体结构

的清洗方法

(57)摘要

本发明提供一种半导体清洗液、制备方法与半导体结构的清洗方法,属于半导体制造技术领域。所述清洗液至少包括:溶剂;活性组分;以及添加剂,所述添加剂的通式为

CN119799432A

CN119799432A

各自为甲基、乙基或丙基中的一种;所述清洗液的耐低温温度为_10℃_22℃。通过本发明提供的一种

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