CN119816922A 外延生长用基座及外延晶圆的制造方法 （信越半导体株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119816922A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202380066717.3

(22)申请日2023.07.20

(30)优先权数据

2022-1554462022.09.28JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.03.17

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2023/0264882023.07.20

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/070151JA2024.04.04

(71)申请人信越半导体株式会社地址日本东京都

(72)发明人永井隼人

(74)专利代理机构北京路浩知识产权代理有限

公司11002

专利代理师刘言蔡飞飞

(51)Int.Cl.

H01L21/205(2006.01)

C23C16/46(2006.01)

H01L21/683(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图5页

(54)发明名称

外延生长用基座及外延晶圆的制造方法

(57)摘要

CN119816922A本发明是一种外延生长用基座，其是用以对主表面为（110）面的晶圆实行外延生长的基座，其特征在于，具有用以载置晶圆的袋和包围所述袋的外周部，在所述外周部设置有平坦部与隆起部，该隆起部是与所述袋相邻的