T_CNIA 0143-2022 中文版 半导体痕量分析用超纯实验器皿技术规范.docxVIP

T/CNIA0143-2022中文版半导体痕量分析用超纯实验器皿技术规范

标准编号：T/CNIA0143-2022

标准名称：半导体痕量分析用超纯实验器皿技术规范

发布机构：中国有色金属工业协会

发布日期：2022年12月20日

实施日期：2023年01月01日

文档版本：中文版正式完整版

适用领域：半导体超纯水、电子级化学品、高纯气体、硅片表面杂质、工艺残留物、环境微污染等超痕量金属与阴离子分析实验室场景，覆盖12英寸先进晶圆厂、第三代半导体、先进封装、第三方半导体检测实验室

规范价值：填补国内半导体超痕量分析器皿标准化空白，统一器皿材质分级、析出限值、清洗工艺、存放管控、检验判定规则，解决行业普遍存在的器皿本底干扰、交叉污染、数据失真、重复性差核心痛点，是半导体检测数据合规、可溯源、可对标SEMI国际标准的核心基础规范

目次

1范围

2规范性引用文件

3术语和定义

4器皿分级与适用场景

5材质与通用技术要求

6痕量杂质析出限量要求（核心指标）

7外观、尺寸与结构要求

8超纯清洗、活化与钝化工艺规范

9分装、标识、存储与周转管控要求

10检验方法与试验条件

11检验规则、判定与不合格处置

12使用有效期与报废准则

13包装、运输与交付规范

附录A（规范性）器皿痕量杂质析出测试浸取条件

附录B（规范性）分级器皿选型对照表

附录C（资料性）实验室