CN119828425A 误差补偿的确定方法、半导体结构及其制造方法 （晶芯成(北京)科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119828425A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202510329676.3

(22)申请日2025.03.20

(71)申请人晶芯成（北京）科技有限公司

地址100176北京市大兴区北京经济技术

开发区科创十三街29号院一区2号楼

13层1302-C54

申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

(72)发明人朱玮黄胜

(74)专利代理机构北京布瑞知识产权代理有限

公司11505

专利代理师鲍诗娴

(51)Int.Cl.

G03F7/20(2006.01)

G03F9/00(2006.01)

权利要求书2页说明书10页附图4页

(54)发明名称

误差补偿的确定方法、半导体结构及其制造

方法

(57)摘要

CN119828425A本申请实施例提供了一种误差补偿的确定方法、半导体结构及其制造方法，该误差补偿的确定方法应用于半导体结构的制造过程，该半导体结构包括衬底、形成于衬底上的至少两个量测光刻层以及形成于量测光刻层远离衬底一侧的对位光刻层；该误差补偿的确定方法包括：根据每个量测光刻层对应的工艺窗口，为每个量测光刻层的量测误差补偿赋予量测补偿权重；该量测补偿权重根据一个量测光刻层对应的工艺窗口与全部量测光刻层对应的工艺窗口的比值确定；对至