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L10FePt单层膜反常霍尔效应研究

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TOC\o1-3\h\u25375L10FePt单层膜反常霍尔效应研究 1

191521.1L10FePt单层膜制备与结构分析 1

11751.2膜层厚度对垂直磁各向异性的影响 2

258261.3溅射氩气压对垂直磁各向异性的影响 4

149901.4衬底对垂直磁各向异性的影响 4

1.1L10FePt单层膜制备与结构分析

要研究基于L10FePt的SOT器件，制备高质量L10FePt单层膜是第一步要完成的工作。因此本文首先利用第二章中介绍的SOT器件制备工艺在MgO单晶基片上通过磁控溅射制备了不同厚度的L10FePt单层膜样品，薄膜结构如图3.1所示。

图3.1FePt单层膜薄膜结构

为表征本文制备的FePt单层膜样品的晶体结构，我们进行了XRD表征测试，测试结果如图3.2所示。

图3.2FePt单层膜XRD表征曲线

根据XRD吸收强度曲线可知，本文通过磁控溅射制备的20nm和40nm厚度的FePt单层膜都生长出了较好的FePt(001)和FePt(002)取向，并且20nm样品的峰值更高，暗示其拥有更好的L10结构。为了进一步验证本文制备的FePt单层膜的垂直磁各向异性，我们需要利用第二章中搭建的反常霍尔效应特性测试系统对其进行测试。不过在这之前需要先将器件制备成微米级的