CN119832953A 一种防止Flash memory意外掉电导致破坏程序的方法及其控制电路 （北京君正集成电路股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119832953A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202311329529.3

(22)申请日2023.10.13

(71)申请人北京君正集成电路股份有限公司

地址100193北京市海淀区西北旺东路10

号院东区14号楼

(72)发明人任科飞

(74)专利代理机构北京嘉东律师事务所11788

专利代理师田欣欣

(51)Int.Cl.

G11C7/24(2006.01)

G11C5/14(2006.01)

权利要求书2页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种防止Flashmemory意外掉电导致破坏程序的方法及其控制电路

(57)摘要

本发明提供一种防止Flashmemory意外掉电导致破坏程序的方法及其电路，包括：S1，设电阻R1和电阻R2串联并且分别接+3.3V和接地形成电阻分压，R2上的电压记为Vref，计算公式:

CN119832953AVref电压值可取0＜Vref3.3V之间的一个值，取电阻R1阻值1K，R2阻值10K，代入公式得Vref值3V；S2，设电阻分压后产生的Vref电压接一电压比较器的V一端，电压比较器的V+端接flashmemory的供电FLASH_3.3V，FLASH_3.3V的电压是3.3