CN119835878A 半导体陶瓷基电路板及其高精度加工方法 （珠海市沃德科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119835878A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202510301911.6

(22)申请日2025.03.14

(71)申请人珠海市沃德科技有限公司

地址519000广东省珠海市斗门区乾务镇

乾湾路南2号（1号厂房2层201）

(72)发明人彭树荣吴执东李常红

(74)专利代理机构深圳卓瀚知识产权代理有限

公司441109

专利代理师安秀梅

(51)Int.Cl.

H05K3/42(2006.01)

H05K1/03(2006.01)

H05K1/11(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图1页

(54)发明名称

半导体陶瓷基电路板及其高精度加工方法

(57)摘要

CN119835878A本发明公开了一种半导体陶瓷基电路板及其高精度加工方法，具体包括：提供基板，基板上预设有低温共烧陶瓷原料层；在低温共烧陶瓷原料层上开设通孔，并在通孔中填充金属浆料；通过微波对低温共烧陶瓷原料层及金属浆料进行低温共烧，令低温共烧陶瓷原料层烧结成共烧陶瓷层，共烧陶瓷层中嵌设由金属浆料形成的金属柱；将镍粉覆盖于金属柱的柱端面，并通过激光将镍粉熔融覆盖于金属柱上，形成镍层。通过微波加热使得低温共烧陶瓷原料层内外同步加热，提高通孔的位置精度和