CN119835938A 半导体结构的形成方法、以及沉积设备 （中芯国际集成电路制造(北京)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119835938A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202311329521.7

(22)申请日2023.10.13

(71)申请人中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

地址100176北京市大兴区北京经济技术

开发区文昌大道18号

申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限

公司

(72)发明人汪杰邢丽李家业张建伟

马兴旺赵亚豪查泽奇纪宁白湛铎徐锴王振辉

(74)专利代理机构上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31327

专利代理师高静

(51)Int.Cl.

H10B41/30(2023.01)

H10B41/42(2023.01)

H01L21/28(2006.01)

C23C16/52(2006.01)

C23C16/24(2006.01)C23C16/455(2006.01)

权利要求书3页说明书14页附图4页

(54)发明名称

半导体结构的形成方法、以及沉积设备

(57)摘要

CN119835938A一种半导体结构的形成方法、以及沉积设备，形成方法包括：提供基底；在基底上进行沉积处理，形成栅极层，沉积处理包括：进行多次预沉积处理，在基底上形成晶种层；完成多次预沉