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MEMS传感器研发工程师考试试卷及答案

MEMS传感器研发工程师考试试卷及答案

一、填空题（共10题，每题1分，总分10分）

1.MEMS的中文全称是______。

2.硅晶圆常用的晶向为______和______。

3.MEMS加速度计常用的检测原理是______效应。

4.湿法刻蚀硅的常用溶液是______。

5.真空封装可降低MEMS器件的______。

6.压电MEMS传感器的核心材料是______（举一例）。

7.微机械陀螺的工作原理基于______效应。

8.MEMS麦克风的敏感元件通常是______。

9.MEMS结构释放常用的工艺是______。

10.温度对MEMS传感器的影响称为______。

二、单项选择题（共10题，每题2分，总分20分）

1.以下哪种不是MEMS常用材料？（）

A.硅B.玻璃C.塑料D.陶瓷

2.干法刻蚀二氧化硅的常用气体是？（）

A.CF?B.O?C.ArD.H?

3.MEMS加速度计中，单位加速度对应的输出电压是？（）

A.灵敏度B.分辨率C.线性度D.噪声

4.适合高真空MEMS器件的封装方式是？（）

A.陶瓷封装B.塑料封装C.金属封装D.玻璃-硅阳极键合

5.科里奥利力方向与哪个因素无关？（）

A.角速度B.质量块速度C.质量块质量D.温度

6.压阻效应是材料______随压力变化？（）

A.电阻B.电容C.电感D.压电系数

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