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2026年先进逻辑芯片钌互连沉积设备竞争格局与替代铜互连工艺可行性评估

摘要

本报告聚焦于2026年亚2nm先进逻辑芯片制造中，钌（Ru）互连沉积设备的全球竞争格局，并深度评估钌替代传统铜互连工艺的技术可行性与产业准备度。核心发现表明，随着晶体管微缩至纳米片（Nanosheet）与互补场效应晶体管（CFET）架构，铜互连在极窄线宽下因电阻率非线性飙升及阻挡层占比过高，已成为性能瓶颈。钌凭借短程电子平均自由程优势，在亚10nm线宽展现出更低电阻，且无需复杂阻挡层即可直接填充，简化了工艺流程。

竞争格局研判显示，应用材料（AppliedMaterials）与泛林半导体（Lam