512Kx16低电压超低功耗CMOS静态随机存取存储器手册.pdfVIP

IS62WV51216ALL

IS62WV51216BLL

512Kx16低电压，超低功耗CMOS静态随机存取

器

2005年2月

特性描述

•高速时间：45ns，55ns该产品由ISSI制造，型号为IS62WV51216ALL/

•CMOS低功耗操作–36mW（典IS62WV51216BLL，是高速8兆位静态RAM，组织结构

型）运行功率–12μW（典型）为512K字×16位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。

这种高度可靠的技术结合创新的电路设计方法，生产出

CMOS待机功率

高性能和低功耗的设备。

•TTL兼容接口电平当CS1为未选中）或CS2为低电平（未选中），