CN120034147A 一种poi衬底、声表面波滤波器及其制备方法 （达波科技(上海)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120034147A

(43)申请公布日2025.05.23

(21)申请号202510103279.4

(22)申请日2025.01.22

(71)申请人达波科技（上海）有限公司

地址201309上海市浦东新区中国（上海）

自由贸易试验区临港新片区江山路3699号5幢1层

(72)发明人杨凯薛成龙柏文文王含冠

杨朋辉刘培森肖博远周鑫辰高嘉骏华千慧国洪辰崔健

(74)专利代理机构北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙)11716

专利代理师梁蒙蒙

(51)Int.Cl.

H03H9/02(2006.01)

H03H9/05(2006.01)

H03H9/64(2006.01)

H03H3/08(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图1页

(54)发明名称

一种POI衬底、声表面波滤波器及其制备方

法

(57)摘要

CN120034147A本申请公开了一种POI衬底、声表面波滤波器及其制备方法，属于半导体制备技术领域。该POI衬底从下至上依次包括支撑层、多晶硅层、第一SiO2层、第二SiO2层和功能层，所述第一SiO2层与第二SiO2层同质键合连接。本申请制备的多晶硅层尺寸均匀性好，致密性好，能够有