CN120112012A 一种具有pn结的半导体器件及其制备方法 （中科研和(宁波)科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120112012A

(43)申请公布日2025.06.06

(21)申请号202510602303.9

(22)申请日2025.05.12

(71)申请人中科研和（宁波）科技有限公司

地址315000浙江省宁波市镇海区庄市街

道光明路189号镇海区高端新材料产业园1号楼

(72)发明人曾俞衡武彪刘晓巍刘意

赵须凯蒋虹萍刘尊珂叶继春

(74)专利代理机构宁波甬致专利代理有限公司

33228

专利代理师胡天人

(51)Int.Cl.

H10F77/30(2025.01)

H10F77/70(2025.01)

H10F10/14(2025.01)

H10F71/00(2025.01)

权利要求书1页说明书10页附图11页

CN

CN120112012A

一种具有PN结的半导体器件及其制备方法

(57)摘要

本发明提供一种具有PN结的半导体器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。半导体器件包括硅基底，硅基底厚度方向的一侧表面具有覆盖发射极的发射区和去除发射极形成的隔离区，发射极与硅基底之间构成PN结，隔离区设置在硅基底的边缘部位，硅基底长度方向的至少一侧侧壁具有切割面，硅基底中至少靠近切割面的边缘设有隔离区，隔离区的表面高度低于