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二极管伏安特性曲线电路实验报告

一、实验目的

1.深入理解半导体二极管的单向导电性及其伏安特性曲线的物理意义。

2.掌握用实验方法测绘二极管的伏安特性曲线，并能对曲线特征进行分析。

3.学会正确使用直流稳压电源、万用表（或电流表、电压表）等基本电子测量仪器。

4.培养实验数据记录、处理与误差分析的基本能力。

二、实验原理

半导体二极管是由一个PN结加上相应的电极引线和管壳封装而成，其核心是PN结。PN结具有单向导电性，这使得二极管的伏安特性呈现非线性关系。

二极管的伏安特性可用以下近似方程描述：

I=I_S(e^(qU/kT)-1)

其中，I为流过二极管的电流，U为加在二极管两端的电压，I_S为反向饱和电流，q为电子电荷量，k为玻尔兹曼常数，T为热力学温度。在常温（T≈300K）下，kT/q≈26mV，通常称为温度的电压当量，用U_T表示。

1.正向特性：当二极管两端加正向电压（阳极接正，阴极接负）时，电压较小时，正向电流几乎为零，此区域称为“死区”。当正向电压超过某一阈值（称为死区电压或开启电压，硅管约0.5V，锗管约0.2V）后，PN结内阻急剧减小，正向电流迅速增大，二极管导通。导通后，二极管两端电压变化很小，硅管约0.6-0.8V，锗管约0.1-0.3V，称为正向导通压降。

2.反向特性：当二极管两端加反向电压（阳极接负，