原创力文档摘要
摘要
β-GaO4.9eV
作为第四代半导体的典型代表，单斜晶相氧化镓（23）凭借其约的超宽
禁带、高达8MV/cm的理论击穿场强、优异的物理化学稳定性，已成为日盲紫外探测与大
功率电子器件领域的核心候选材料。在缺陷工程领域的各种调
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