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无结硅纳米线晶体管的体输运模式分析概述

我们知道，反型，积累和无结三种模式的晶体管器件的开关机制与工作原理是不同的，但三者基于最基本的MOS电容结构构成的。通过金属栅压调制半导体的能带状态，进而完成开关动作。以N型半导体为例，如图2.3所示，若栅极材料费米能级低于半导体，两者通过接地短路时，来自施主杂质的电子会穿过介质层来到金属界面，此时半导体界面处耗尽并产生内建电场ADDINEN.CITEEndNoteCiteRecNum2919/RecNumDisplayTextstyleface=superscript[33]/style/DisplayT