开发区成片基坑统一暗排施工方案.docx

开发区成片基坑统一暗排施工方案

一、工程概况

1.1项目背景

本开发区总规划用地面积2.37km2，规划功能包含智能制造产业园、科创研发中心、配套商业及住宅，共划分12个独立出让地块，单地块基坑开挖深度4.2~8.7m，局部深坑最大开挖深度11.3m，整体基坑连片总面积68.2万m2。场地原始地貌为河漫滩，前期场地平整后表层分布2.1~3.5m厚人工填土层，下伏3.2~5.7m厚粉质黏土层，再下为8.4~12.6m厚粉砂层，地下稳定水位埋深1.2~1.8m，年水位变幅0.8~1.5m，粉砂层渗透系数为3.2×10?3cm/s，属于强透水层，传统单地块独立降水会导致相邻地块水位差过大、基坑边坡