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公司半导体芯片制造工培训考核试卷及答案

一、单项选择题（每题2分，共40分）

1.半导体芯片制造中，用于形成器件隔离结构的关键工艺是（）

A.氧化B.光刻C.浅沟槽隔离（STI）D.化学机械抛光（CMP）

2.硅片清洗工艺中，SC-1溶液的主要成分是（）

A.H2SO4+H2O2B.NH4OH+H2O2+H2OC.HCl+H2O2+H2OD.HF+H2O

3.光刻工艺中，影响分辨率的核心参数是（）

A.曝光能量B.对准精度C.数值孔径（NA）D.显影时间

4.干法刻蚀与湿法刻蚀相比，主要优势是（）

A.成本更低B.各向异性更好C.溶液易回收D.对材料选择性更高

5.化学气相沉积（CVD）中，用于沉积二氧化硅的常用前驱体是（）

A.SiH4+O2B.WF6C.TiCl4D.Al(CH3)3

6.下列哪项不是CMP工艺的主要作用（）

A.全局平坦化B.去除表面颗粒C.调整薄膜厚度D.形成PN结

7.离子注入后进行退火的主要目的是（）

A.去除表面氧化物B.激活掺杂离子C.提高硅片机械强度D.降低表面粗糙度

8.晶圆传输过程中，必须控制的环境参数不包括（）

A.温度B.湿度C.振动D.