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基于化学气相沉积法制备MoS_2、WS_2薄膜及其在强耦合中的应用.pdf

基于化学气相沉积法制备MoS_2、WS_2薄膜及其在强耦合中的应用.pdf

    摘要

    近些年，由于其卓越的光学、电学和力学特性，对于石墨烯材料研究探索愈

    发火热。而二维过渡金属硫化物（TMDs）材料具有石墨烯没有的直接带隙，应

    用潜力不言而喻。二硫化钼（MoS）和二硫化钨（WS）是一类新的二维材料，

    22

    在柔性光电子器件、催化和新能源等方面有着重要的应用价值。本设计采用化学

    气相沉积（CVD）法制备MoS2和WS2薄膜，研究不同生长工艺参数对MoS2和

    WS

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