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半导体晶圆清洗工艺技师考试试卷及答案

填空题（每题1分，共10分）

1.半导体晶圆清洗中去除硅氧化物的常用试剂是______。

2.RCA清洗的SC1成分包括NH4OH、H2O2和______。

3.超纯水的电阻率要求不低于______MΩ·cm。

4.晶圆污染物类型有颗粒、金属离子、有机物和______。

5.兆声波清洗频率一般在______kHz左右。

6.利用表面张力梯度的干燥方法是______干燥。

7.硅晶圆主要晶向是______。

8.去除有机物的试剂组合是H2SO4和______。

9.清洗工艺核心目的是______污染物。

10.产生高频振动的装置是______系统。

单项选择