CN119556096A 基于SiC MOSFET动态特性参数的键合线老化状态在线评估方法及检测电路 （上海大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119556096A

(43)申请公布日2025.03.04

(21)申请号202411673848.0

(22)申请日2024.11.21

(71)申请人上海大学

地址200444上海市宝山区上大路99号

(72)发明人汪飞刘红涛张晓康

(74)专利代理机构上海恒慧知识产权代理事务

所(特殊普通合伙)31317

专利代理师张宁展

(51)Int.Cl.

G01R31/27(2006.01)

G01R31/26(2020.01)

权利要求书2页说明书6页附图3页

(54)发明名称

基于SiCMOSFE