GBT 45721.1-2025 半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验标准立项发展报告.docx

半导体器件应力迁移试验第1部分：铜应力迁移试验

StandardizationDevelopmentReport:SemiconductorDevices—StressMigrationTest—Part1:CopperStressMigrationTest

摘要

关键词：半导体器件；铜互连；应力迁移；可靠性试验；国家标准；失效机理；高温加速

Keywords

Semiconductordevices;Copperinterconnect;Stressmigration;Reliabilitytest;Nationalstandard;Failuremechanism;High-temperatureacceleration

一、引言

1.1研究背景

随着集成电路技术持续沿着摩尔定律向前推进，器件特征尺寸不断缩小，互连延迟逐渐取代门延迟成为制约芯片性能提升的主导因素。传统的铝互连技术因其电阻率较高且电迁移抗性有限，已无法满足先进工艺节点对互连性能的严苛要求。自IBM公司于1997年率先实现铜互连技术的商业化应用以来，铜凭借其较低的电阻率（约为铝的60%）和优异的抗电迁移能力，迅速成为90nm及以下技术节点的主流互连金属材料。

然而，铜互连技术在带来性能和可靠性优势的同时，也引入了新的失效机制——应力迁移。应力迁移是指在温