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第四代半导体材料氧化镓发展应用趋势

氧化镓应用前景/01

氧化镓是什么？

氧化镓(Ga2O3)是一种超宽禁带半导体，存在多种不同的晶相，可以互相转化

常压下β相最稳定，熔体法生长温度高，只能获得β相

β相的晶体结构为单斜，对称性低，各向异性强，带来诸多问题

K.Sasakietal.,AppliedPhysicsExpress2024,17,3090101

为什么氧化镓受关注：性能优越

4H-SiC

GaN

B-Ga3

禁带宽度Eg(eV)

3.3

3.4

4、85

击穿场强Eb(MV/cm)

2.5

3.3

熔点(℃)

2700

2300

电子迁移率(cm2/Vs)

1000

1200

200

热导率(W/cm?K)

3.7

2.5

0.1-0.3

巴利加优值（BFOM）

340

870

3444

约翰逊优值（JFOM）

278

1089

2844

与SiC、GaN相比，氧化镓具有更大的禁带宽度、击穿场强、巴利加优值

制作的功率器件具有更高的工作电压、功率，以及更小的导通电阻和功耗

029201S.J.Pearton,etal.,Appl.Phys.Rev.,2018,5,011301；A.J.Green,etal.,