第四代半导体材料氧化镓发展应用趋势.pptxVIP

第四代半导体材料氧化镓发展应用趋势;

氧化镓应用前景/01;

氧化镓(Ga2O3)是一种超宽禁带半导体，存在多种不同的晶相，可以互相转化

常压下β相最稳定，熔体法生长温度高，只能获得β相

β相的晶体结构为单斜，对称性低，各向异性强，带来诸多问题

K.Sasakietal.,AppliedPhysicsExpress2024,17,3090101;;

在众多宽禁带半导体中，唯一可用常压、传统熔体法做大尺寸晶体的宽禁带半导体

具有生长速度快（1~2个数量级）、大规模量产成本低、可做高质量大尺寸晶体等优点;

氧化镓的硬度（6）与硅的硬度接近，可以用硅成熟的加工设备和技术（金刚线切割，CMP）

具有高的加工效率和成品率，可显著降低成本;

?小体积、低损耗、高压大功率、低成本

?与硅基产线90%共线，8英寸氧化镓晶圆衬底可与硅基产线适配;

氧化镓在大于600V的中压、高压以及特高压功率器件领域具有广阔的应用前景，如新能源汽车与充电桩等。

也是潜在的高功率射频器件材料，电子饱和速度、约翰逊优值较高，在射频器件领域具有很大应用潜力

此外，氧化镓还可用于日盲探测、抗辐照等特有领域，支持空间经济、低空经济的发展;

高压、高耐温、大