纳米光刻技术99课件讲解.pptxVIP

01

纳米光刻技术的内涵

02

纳米光刻技术主要指标

目

录

光刻系统包括：光源、透镜等光学系统、掩膜版、光刻胶、基片。

光刻系统的主要指标包括：分辨率（R）、特征线宽（CD）、焦深（DOF）、对比度（CON）、对准和套刻精度，以及系统的产率和价格。

一、纳米光刻技术的内涵

光源波长与光科技术（特征线宽）节点

二、纳米光刻技术的主要指标

光源

高压汞灯

贡光谱

二、纳米光刻技术的主要指标

分辨率系数和数值孔径

二、纳米光刻技术的主要指标

光刻分辨率

二、纳米光刻技术的主要指标

焦深

二、纳米光刻技术的主要指标

对比度

二、纳米光刻技术的主要指标

对准和套刻精度

套刻精度是最后一次光刻图形与前一次光刻图形之间的对准程度。

套刻精度应为最小线宽的三分之一。

在晶片上第一次光刻时应对准晶向。

电路图

三层掩膜版总图

二、纳米光刻技术的主要指标