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半导体物理笔试题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分）

1.在理想的直接带隙半导体中，电子从价带跃迁到导带后，在激发瞬间留下的空穴将存在于：

A.导带

B.价带

C.禁带

D.晶格振动

2.对于理想PN结，在零偏压（V=0）下，耗尽层宽度：

A.处于最大值

B.处于最小值

C.为零

D.无法确定

3.当温度升高时，半导体材料的本征载流子浓度（ni）将：

A.增加

B.减小

C.不变

D.先增后减

4.在N型半导体中，掺入少量acceptor（受主）杂质，将导致：

A.导带电子浓度显著增加

B.价带空穴浓度显著增加

C.本征载流子浓度增加

D.杂质能级位于导带底之下

5.对于理想PN结，当施加正向偏压时（P区接正，N区接负）：

A.内建电场增强，耗尽层变宽

B.内建电场减弱，耗尽层变窄

C.内建电场增强，耗尽层变窄

D.内建电场减弱，耗尽层变宽

6.根据能带理论，半导体材料存在能带主要是由于：

A.原子核的库仑力

B.原子间的相互作用

C.电子的自旋效应