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硅光芯片的耦合封装工艺突破研究

一、引言

（一）硅光技术的发展背景与产业需求

随着数字经济的快速发展，全社会对算力与数据传输能力的需求呈现爆发式增长，传统的电互连技术在带宽、功耗、延迟等方面的瓶颈日益凸显，难以满足下一代信息基础设施的发展需求。硅光技术以硅基材料为平台，将光学器件与电子器件集成在同一芯片上，兼具高带宽、低功耗、小尺寸以及与成熟互补金属氧化物半导体工艺兼容等优势，被认为是突破电互连瓶颈、实现高速信息传输的核心技术路径之一。经过多年的研发积累，硅光芯片的晶圆制造工艺已逐步成熟，核心器件的性能指标基本达到商用要求，但从实验室原型到大规模产业化落地之间，仍存在诸多亟待解决的工程化难题，其中耦合封装工艺是最为核心的制约环节之一。

（二）耦合封装工艺的核心地位与研究意义

耦合封装是连接硅光芯片与外部光学系统的关键环节，承担着光学信号耦合、电学互连、机械固定、热管理、物理防护等多重功能，其性能直接决定了硅光器件的插入损耗、工作稳定性与使用寿命。由于硅光波导的模场尺寸远小于普通单模光纤，两者之间的模场匹配难度极大，加上硅基材料与其他光学、封装材料的物理特性差异，使得耦合封装长期以来都是硅光产业链中技术难度最高、成本占比最大的环节之一。相关统计显示，耦合封装环节的成本可占据硅光器件总成本的一半以上，部分定制化器件的占比甚至更高（中国信息通信研究院，2022）。

近年来，全球科研界与产