GB-T 48164.1-2026-半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法标准研究报告.docx

半导体器件碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）可靠性试验方法第1部分：偏置温度不稳定性试验方法（GB/T48164.1-2026）标准化发展报告

SemiconductorDevices—ReliabilityTestMethodforSiliconCarbideMetal-OxideSemiconductorFieldEffectTransistors(SiCMOSFET)—Part1:TestMethodforBiasTemperatureInstability

摘要

随着碳化硅（SiC）功率半导体器件在新能源汽车、光伏逆