GBT 43536.3-2026 三维集成电路 第3部分：硅通孔模型及测试方法标准立项发展报告.docx

三维集成电路第3部分：硅通孔模型及测试方法标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:Three-DimensionalIntegratedCircuits–Part3:Through-SiliconViaModelsandTestingMethods

摘要

随着摩尔定律逼近物理极限，三维集成电路(3DIC)凭借其高集成密度、低功耗和异质集成能力，已成为后摩尔时代集成电路产业持续发展的核心路径，而硅通孔(TSV)技术作为三维集成的关键垂直互连手段，其建模精度和测试可靠性直接决定了芯片的成品率与长期可靠性。本报告围绕国家标