CN119855935A 导电溅射靶以及用其沉积层的方法 （梭莱先进镀膜工业公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119855935A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202380064408.2

(22)申请日2023.09.01

(30)优先权数据

2022/57132022.09.09BE

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.03.07

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/EP2023/0739842023.09.01

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/052218EN2024.03.14

(71)申请人梭莱先进镀膜工业公司地址比利时

(72)发明人I·卡雷蒂吉安加斯普罗D·德布鲁恩F·法克W·德博斯谢尔

(74)专利代理机构中国贸促会专利商标事务所

有限公司11038

专利代理师王海宁

(51)Int.Cl.

C23C14/00(2006.01)

C23C14/06(2006.01)

C23C14/34(2006.01)

H01M10/052(2006.01)

权利要求书2页说明书12页附图4页

(54)发明名称

导电溅射靶以及用其沉积层的方法

(57)摘要

CN119855935A一种用于中频交流溅射过程或直流溅射过程中的溅射的靶（2），该靶（2）包括主要包含M掺杂的LixPOy的靶材