场效应晶体管及其基础放大电路解析.pptVIP

第3章场效应管及其基本放大电路;内容导航;教学基本要求;3.1结型场效应管;场效应管的特点：;3.1.1结型场效应管（JFET）的结构;3.1.2JFET的工作原理和特性曲线;当uGS＜0时，PN结反偏，耗尽层变厚，沟道变窄，沟道电阻变大，iD减小；;二、uDS对导电沟道的影响;JFET伏安特性曲线;;;;三、转移特性曲线;当管子工作在恒流区，uDS对iD的影响很小。;3.2绝缘栅场效应管;3.2.1N沟道增强型MOSFET;二、工作原理与特性曲线;(c)进一步增长uGS，当uGS＞UGS(th)时，因为此时的栅极电压已经比较强，栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，将漏极和源极沟通，形成沟道。假如此时uDS0，就能够形成漏极电流ID。在栅极下方导电沟道中的电子，因与P型区的载流子空穴极性相反，故称为反型层。伴随uGS的继续增长，反型层变厚，iD增长;把开始形成反型层的uGS值称为该管的开启电压UGS(th)。;N沟道增强型MOSFET特性曲线;3.2.2N沟道耗尽型MOSFET;当uGS＞0时，将使iD进一步增长。uGS＜0时，伴随uGS的减小iD逐渐减小，直至iD=0。相应iD=0的uGS值为夹断电压UGS(off)。;3.2.3P沟道MOSFET介绍;3.3场效应管的主要参数、特点及注意事项;3.饱和漏