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6G太赫兹通信芯片的非气密性晶圆级封装：从波导到片上天线的集成趋势

摘要

本报告聚焦6G太赫兹通信芯片的晶圆级封装技术，预测周期为2025年至2035年。

研究范围覆盖InP和CMOS工艺平台、非气密性封装方案，以及从分立波导耦合到片上天线集成的演进路径。

核心趋势判断是：未来十年，基于微机械加工的晶圆级非气密性封装将取代传统气密性金属或陶瓷管壳，成为太赫兹前端模组的主流封装形态；片上天线与硅基或InP芯片的直接集成将实现天线与电路的一体化设计，使系统级损耗降至3dB以下，同时满足户外可靠性要求。

关键预测数据包括：至2028年，基于苯并环丁烯（BCB）或干膜光刻胶的晶圆级封装技术将实现D波段（110–170GHz）收发模组的量产，单通道插损小于1.5dB；至2032年，CMOS太赫兹SoC与片上天线协同封装方案将推动260GHz以上频段的室外回传设备进入商用部署。

报告从宏观驱动因素、技术现状、核心趋势、演进时间线、量化预测和战略建议六个层面展开。

首先，分析频段资源稀缺、6G标准化进程和微电子集成技术跃迁三大驱动力。

其次，梳理当前InP与CMOS芯片的封装瓶颈，包括波导耦合损耗、密封成本与可靠性矛盾。

再次，研判高确定性趋势（如天线集成化、非气密性钝化）和高影响力不确定趋势（如新型低损耗介质材料的突破）。

进一步，通过三场景推演，给出中性场景下202