覆铜板表面焊接GaN芯片的热性能分析.pdfVIP

电子工艺技术

40ElectronicsProcessTechnology20255463

年月第卷第期

覆铜板表面焊接GaN芯片的热性能分析

蒲航，董悦，张瑶，韩可，周永刚，弓明杰

（西安理工大学，西安710048）

摘要：GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件由于其优异的性能，在电源模块中的应用引起了广泛关

注。然而GaNHEMT器件的散热问题成为限制其应用的关键因素。研究不同类型覆铜基板、不同覆铜厚度以及

不同覆铜面积焊接GaN芯片的工艺，进行试验以及仿真分析，确保GaN芯片的应用可靠性。

关键词：覆铜板；GaN芯片；仿真；可靠性

中图分类号：TN405文献标识码：Ａ文章编号：1001-3474（2025）03-0040-04

ThermalPerformanceAnalysisofGaNChipsSol