航天器高压直驱电推进系统：碳化硅功率处理单元的耐辐射加固竞争.docx

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航天器高压直驱电推进系统：碳化硅功率处理单元的耐辐射加固竞争

本报告说明

本报告聚焦航天器高压直驱霍尔电推进系统中碳化硅（SiC）功率处理单元（PPU）的耐辐射加固竞争格局。核心发现是：随着深空探测、低轨星座与高比冲任务对PPU功率密度与抗辐射能力的双重需求，SiC器件正逐步替代传统硅基IGBT，但NASA、ESA与中国航天科技集团五院502所（以下简称”502所”）在抗辐射方案上已形成明显的技术路线分化。NASA以JPL为中心，主导基于SiCMOSFET的SEE/THD协同加固路线；ESA依托ThalesAleniaSpace与意大利OHB，倾向SiCBJT与混合模