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硅光子集成器件的晶圆级测试方法改进

一、引言

硅光子集成技术是近年来光电子领域发展最快的技术方向之一，凭借着与成熟硅基半导体制造工艺的高度兼容性，硅光器件能够在单块芯片上集成光波导、分束器、滤波器、调制器、探测器等多种光电功能单元，具备传输带宽大、功耗低、集成度高、成本可控的突出优势，目前已经在数据中心光互连、长距相干通信、车载激光雷达、生物医疗传感等多个领域实现了规模化应用。随着硅光芯片的集成规模从最初的单功能分立器件，逐步演进为集成数百甚至上千个光电单元的系统级芯片，硅光晶圆的制造工艺复杂度持续提升，良率管控的难度也不断加大。在整个硅光器件的制造流程中，晶圆级测试是晶圆制造完成、划片封装之前的核心环节，通过在整片晶圆层面完成所有芯片的光电参数测试，可以提前筛选出存在制造缺陷的不良芯片，避免后续封装环节的成本浪费，同时还可以提取全晶圆的工艺偏差数据，反馈给制造端优化工艺参数，从整体上提升产品良率。可以说，晶圆级测试的效率、精度和成本，直接决定了硅光产品的市场竞争力。

长期以来，硅光晶圆级测试一直是制约硅光产业规模化发展的关键瓶颈。与传统集成电路只需要测试电信号不同，硅光器件的测试需要同时实现光信号的高效耦合和电信号的稳定连接，对对准精度、系统稳定性的要求远高于传统电芯片测试。早期面向小规模集成光器件开发的传统测试方法，在面对大尺寸晶圆、高集成度芯片的量产测试需求时，逐渐暴露出效率