基于重新定义t_doff的SiC MOSFET结温估计方法.pptxVIP

基于重新定义t_doff的SiC MOSFET结温估计方法.pptx

content

研究背景与技术挑战

理论基础与关键技术路径

t_doff的重新定义及其物理意义

结温估计模型构建与实现架构

实验验证与性能对比分析

工程应用前景与未来发展方向

研究背景与技术挑战

碳化硅MOSFET在高功率密度应用中的热管理需求日益突出

高功率密度挑战

碳化硅MOSFET在电动汽车与可再生能源系统中广泛应用，其高开关频率显著提升功率密度。但集成度提高导致热流集中，散热空间受限，热管理难度加剧。

结温影响可靠性

结温过高会加速器件老化，引发阈值电压漂移与导通电阻退化。温度波动还可能导致封装材料疲劳，降低模块长期运行的可靠性。

动态热行为复杂

在瞬态负载下，SiCMOSFET经历快速温度变化，传统稳态模型难以捕捉热惯性效应。动态热阻抗响应滞后，造成温度估计失准。

现有测温方法局限

红外测温受封装遮挡影响，无法获取内部结温；嵌入式传感器增加成本且破坏结构完整性。多数方法难以满足实时在线监测需求。

高频开关新挑战

SiC器件的纳秒级开关瞬态使传统温敏电参数（如Vdson）提取窗口受限。电流电压耦合干扰严重，影响参数稳定性和测温精度。

传统结温估算方法受限于响应速度与物理侵入性

热模型局限

传统热网络模型依赖稳态参数，难以准确反映SiCMOSFET高频开关下的瞬态温升过程，导致结温估计滞后。

测温方法受限

侵入式测温破坏封装

更多 >