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集成电路技术基础期末考试试题及详细答案

适用专业：微电子技术、电子信息工程、半导体技术相关专业

考试时长：90分钟

满分：100分

考试说明：闭卷考试，题型包含填空题、选择题、判断题、简答题、计算题，侧重基础理论与工程实操知识。

一、填空题（每空1分，共20分）

1.集成电路英文缩写为________，是将晶体管、电阻、电容等元器件制作在单晶硅片上，封装成的微型化电路。

2.按照集成度划分，集成电路可分为小规模、中规模、大规模和________集成电路。

3.半导体硅晶体的晶格结构为________结构，常温下本征硅的导电性能________。

4.在半导体中，掺入五价元素形成________型半导体，多数载流子为________。

5.PN结的核心特性是________，反向偏置时PN结处于________状态。

6.MOS管分为NMOS和PMOS两种，其中________管导通时沟道载流子为空穴。

7.CMOS电路是由________和________互补组合构成，具有功耗极低的特点。

8.集成电路制造的核心三大工艺是薄膜制备、________和________。

9.光刻工艺的主要作用是将________转移到硅片表面的光刻胶层，实现图形复刻。

10.集成电路封装的主要作用是保护芯片、________、________，提升器件实用性。

11.数字集成