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集成电路高频面试题及详细答案（实操版）

一、半导体与器件基础（校招必问）

1、请简述PN结的形成原理，以及单向导电性的本质

PN结是由P型半导体和N型半导体贴合形成的核心器件结构。P型半导体富含空穴（多数载流子），少量自由电子；N型半导体富含自由电子（多数载流子），少量空穴。

两种半导体结合后，接触面会出现载流子浓度差，引发扩散运动：P区空穴向N区扩散，N区电子向P区扩散。扩散过程中，接触面两侧会留下不能移动的杂质离子，P区侧带负电、N区侧带正电，形成空间电荷区，也就是耗尽层。

空间电荷区会建立内建电场，电场方向由N区指向P区，这个电场会阻碍载流子继续扩散，同时驱动少数载流子做漂移运动。当扩散运动和漂移运动达到动态平衡时，耗尽层宽度固定，PN结成型。

单向导电性核心：正向偏置（P接正、N接负）时，外电场抵消内建电场，耗尽层变窄，载流子扩散运动持续进行，形成导通电流；反向偏置（P接负、N接正）时，外电场增强内建电场，耗尽层变宽，只有极少少数载流子漂移形成微弱漏电流，器件近似截止。

2、MOS管的工作区域分为哪三个？分别的导通条件是什么

MOS管分为截止区、线性区（可变电阻区）、饱和区，以最常用的NMOS管为例：

第一，截止区。栅源电压VGS小于阈值电压VGS(th)，沟道无法感应形成，源漏之间没有导电通路，管子不导通，几乎无电流。