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硅光子与VLSI共封装中的光栅耦合与边缘耦合对准容差与封装自适应光学

摘要

本报告聚焦于硅光子与超大规模集成电路（VLSI）共封装（CPO）中光栅耦合与边缘耦合的对准容差问题，预测周期为2025–2030年。核心判断是：微透镜阵列辅助光栅耦合、V型槽光纤阵列被动对准以及硅光芯粒（Chiplet）自适应光学技术，将构成突破CPO光耦合效率瓶颈的三大支柱。预测至2028年，基于被动对准的CPO光引擎耦合损耗将降至1.5dB以下，封装速度提升至每秒1颗芯粒，推动CPO在AI集群中的渗透率超过40%。

报告首先从宏观环境与驱动因素入手，分析数据流量膨胀与摩尔定律放缓对光互连的刚性需求；进而剖析行业发展现状，指出现有主动对准工艺的产能桎梏与成本痛点。在核心趋势研判章节，系统论证了无源对准精度向±1μm演进、光栅耦合与边缘耦合走向融合设计、以及自适应光学实现实时补偿三大高确定性趋势。通过场景推演与量化预测，给出乐观、中性、悲观三种情景下CPO光模块的市场规模与耦合效率指标。最后，报告为产业链各环节提出战略建议，强调在V型槽刻蚀、微透镜一体成型、光电协同设计等领域的先发布局价值。

第一章报告概述

1.1研究背景与目标

随着大模型训练与推理对算力互联带宽的需求呈指数级增长，传统铜互连与可插拔光模块在功耗、密度与延迟上的瓶颈日益凸显。硅光子与VLSI的共封装（CPO）通过将光学