半导体晶片近边缘几何形态评价 第3部分：扇形区域平整度法（ESFQR、ESFQD、ESBIR）.docxVIP

半导体晶片近边缘几何形态评价

第3部分:扇形区域平整度法

(ESFQR、ESFQD、ESBIR)

Practicefordeterminingsemiconductorwafernear-edgegeometry—

Part3:Sectorareaflatness(ESFQR,ESFQD,ESBIR)

Ⅱ

随着硅片直径的增加和线宽的不断降低,对硅片几何参数的要求也在不断提高。硅片的近边缘区域是影响硅片几何参数的重要因素,目前大直径硅片近边缘区域的厚度、平整度等形态的控制难度较大,因此有效地评价和管控大直径硅片的近边缘几何形态,对于提高硅片整体质量和集成电路芯片的成品率,促进技术代的升级有着重要的意义。主要用于硅片及其他半导体材料晶片。《半导体晶片近边缘几何形态评价》拟由四个部分构成。

—第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD)。目的在于使用径向二阶导数方法评价半导体晶片近边缘几何形态。

—第2部分:边缘卷曲法(ROA)。目的在于使用边缘卷曲方法评价半导体晶片近边缘几何形态。

—第3部分:扇形区域平整度法(ESFQR、ESFQD、ESBIR)。目的在于获得扇形区域平整度进而评价近边缘几何形态。

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